目 录__eol__第1章 晶体结构与晶体结合 （1）__eol__1.1 晶体结构 （2）__eol__1.1.1 晶格和晶胞 （2）__eol__1.1.2 原胞 原基矢量 晶格平移矢量 （4）__eol__1.2 晶列与晶面 （6）__eol__1.2.1 晶向指数 （6）__eol__1.2.2 晶面指数 （7）__eol__1.3 倒格子 （9）__eol__1.4 晶体结合 （10）__eol__1.4.1 固体的结合形式和化学键 （10）__eol__1.4.2 离子结合（离子键） （11）__eol__1.4.3 共价结合（共价键） （11）__eol__1.4.4 金属结合（金属键） （11）__eol__1.4.5 范德瓦尔斯结合（范德瓦尔斯键） （12）__eol__1.5 典型半导体的晶体结构 （12）__eol__1.5.1 金刚石型结构 （12）__eol__1.5.2 闪锌矿型结构 （14）__eol__1.5.3 纤锌矿型结构 （14）__eol__思考题与习题 （14）__eol__第2章 半导体中的电子状态 （16）__eol__2.1 周期性势场 （16）__eol__2.2 布洛赫（Bloch）定理 （17）__eol__2.2.1 单电子近似 （17）__eol__2.2.2 布洛赫定理 （18）__eol__2.2.3 布里渊区 （19）__eol__2.3 周期性边界条件（玻恩冯-卡曼Born.von-Karman边界条件） （21）__eol__2.4 能带 （24）__eol__2.4.1 周期性势场中电子的能量谱值 （24）__eol__2.4.2 能带图及其画法 （26）__eol__2.5 外力作用下电子的加速度 有效质量 （28）__eol__2.5.1 外力作用下电子运动状态的改变 （29）__eol__2.5.2 有效质量 （31）__eol__2.6 等能面、主轴坐标系 （35）__eol__2.7 金属、半导体和绝缘体的区别 （36）__eol__2.8 导带电子和价带空穴 （38）__eol__2.9 硅、锗、砷化镓的能带结构 （40）__eol__2.9.1 导带能带图 （40）__eol__2.9.2 价带能带图 （41）__eol__2.10 半导体中的杂质和杂质能级 （43）__eol__2.10.1 替位式杂质和间隙式杂质 （43）__eol__2.10.2 施主杂质和施主能级 N型半导体 （44）__eol__2.10.3 受主杂质和受主能级 P型半导体 （44）__eol__2.10.4 III-V族化合物中的杂质能级 （45）__eol__2.10.5 等电子杂质 等电子陷阱 （46）__eol__2.11 类氢模型 （47）__eol__2.12 深能级 （48）__eol__2.13 缺陷能级 （50）__eol__2.14 宽禁带半导体的自补偿效应 （50）__eol__思考题与习题 （51）__eol__第3章 载流子的统计分布 （53）__eol__3.1 能态密度 （53）__eol__3.1.1 导带能态密度 （53）__eol__3.1.2 价带能态密度 （54）__eol__3.2 分布函数 （55）__eol__3.2.1 费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布与费米能级 （55）__eol__3.2.2 玻耳兹曼分布 （56）__eol__3.3 能带中的载流子浓度 （58）__eol__3.3.1 导带电子浓度 （58）__eol__3.3.2 价带空穴浓度 （59）__eol__3.4 本征半导体 （61）__eol__3.5 杂质半导体中的载流子浓度 （64）__eol__3.5.1 杂质能级上的载流子浓度 （64）__eol__3.5.2 N型半导体 （65）__eol__3.5.3 P型半导体 （66）__eol__3.6 杂质补偿半导体 （68）__eol__3.7 简并半导体 （70）__eol__3.7.1 简并半导体杂质能级和能带的变化 （70）__eol__3.7.2 简并半导体的载流子浓度 （71）__eol__思考题与习题 （72）__eol__第4章 电荷输运现象 （74）__eol__4.1 格波与声子 （74）__eol__4.1.1 格波 （74）__eol__4.1.2 声子 （76）__eol__4.2 载流子的散射 （77）__eol__4.2.1 平均自由时间与弛豫时间 （78）__eol__4.2.2 散射机构 （79）__eol__4.3 漂移运动 迁移率 电导率 （81）__eol__4.3.1 平均漂移速度与迁移率 （81）__eol__4.3.2 漂移电流 电导率 （84）__eol__4.4 多能谷情况下的电导现象 （86）__eol__4.5 电流密度和电流 （89）__eol__4.5.1 扩散流密度与扩散电流 （89）__eol__4.5.2 漂移流密度与漂移电流 （89）__eol__4.5.3 电流密度与电流 （90）__eol__4.6 非均匀半导体中的内建电场 （90）__eol__4.6.1 半导体中的静电场和势 （90）__eol__4.6.2 爱因斯坦关系 （91）__eol__4.6.3 非均匀半导体中的内建电场 （92）__eol__4.7 霍尔（Hall）效应 （94）__eol__4.7.1 霍尔系数 （95）__eol__4.7.2 霍尔角 （96）__eol__思考题与习题 （98）__eol__第5章 非平衡载流子 （100）__eol__5.1 非平衡载流子的产生与复合 （100）__eol__5.1.1 非平衡载流子的产生 （100）__eol__5.1.2 非平衡载流子的复合 （101）__eol__5.1.3 非平衡载流子的寿命 （102）__eol__5.2 直接复合 （104）__eol__5.3 通过复合中心的复合 （106）__eol__5.3.1 载流子通过复合中心的产生和复合过程 （106）__eol__5.3.2 净复合率 （107）__eol__5.3.3 小信号寿命公式—肖克利-瑞德公式 （108）__eol__5.3.4 金在硅中的复合作用 （109）__eol__5.4 表面复合和表面复合速度 （111）__eol__5.5 陷阱效应 （112）__eol__5.6 准费米能级 （113）__eol__5.6.1　准费米能级 （113）__eol__5.6.2　修正欧姆定律 （114）__eol__5.7 连续性方程 （115）__eol__5.8 电中性条件 介电弛豫时间 （118）__eol__5.9 扩散长度与扩散速度 （119）__eol__5.10 半导体中的基本控制方程 （122）__eol__思考题与习题 （122）__eol__第6章 半导体表面 （124）__eol__6.1 表面态和表面空间电荷区 （124）__eol__6.2 表面电场效应 （125）__eol__6.2.1 表面空间电荷区的形成 （125）__eol__6.2.2 表面势与能带弯曲 （126）__eol__6.3 载流子积累、耗尽和反型 （127）__eol__6.3.1 载流子积累 （128）__eol__6.3.2 载流子耗尽 （128）__eol__6.3.3 载流子反型 （129）__eol__6.4 理想MOS电容 （133）__eol__6.5 实际MOS电容的C-V特性 （139）__eol__6.5.1 功函数差的影响 （139）__eol__6.5.2 界面陷阱和氧化物电荷的影响 （141）__eol__6.5.3 实际MOS的C-V曲线和阈值电压 （143）__eol__思考题与习题 （144）__eol__第7章 PN结 （146）__eol__7.1 热平衡PN结 （148）__eol__7.1.1 PN结空间电荷区 （148）__eol__7.1.2 电场分布与电势分布 （149）__eol__7.2 偏压PN结 （153）__eol__7.2.1　PN结的单向导电性 （153）__eol__7.2.2 少数载流子的注入与输运 （154）__eol__7.3 理想PN结二极管的直流电流-电压（I-V）特性 （157）__eol__7.4 空间电荷区复合电流和产生电流 （162）__eol__7.4.1 正偏复合电流 （162）__eol__7.4.2 反偏产生电流 （163）__eol__7.5　隧道电流 （164）__eol__7.6 PN结电容 （165）__eol__7.6.1 耗尽层电容 （166）__eol__7.6.2 扩散电容 （167）__eol__7.7 PＮ结击穿 （170）__eol__7.8 异质结 （172）__eol__7.8.1 热平衡异质结 （172）__eol__7.8.2 加偏压的异质结 （174）__eol__思考题与习题 （175）__eol__第8章 金属-半导体接触 （178）__eol__8.1 理想的金属-半导体整流接触 肖特基势垒 （178）__eol__8.2 界面态对