电子技术基础 / 面向“十二五”高职高专精品规划教材
￥35.00定价
作者： 刘鹏 刘旭 主编
出版时间：2013-02-01
出版社：北京理工大学出版社
- 北京理工大学出版社
- 9787564073008
- 1
- 76591
- 66211306-7
- 16开
- 2013-02-01
- 359
- 工学
- 电子科学与技术
- TN01
- 电类基础（非电专业）
- 高职高专
作者简介
内容简介
为适应计算机的普及和通信技术的广泛应用，满足对高等院校学生的知识结构要求，作者结合多年的教学改革实践编写了这本《电子技术基础》。全书包括两部分：第一部分模拟电子技术，介绍半导体器件基础知识、基本放大电路、集成运算放大器的基本概念、集成运算放大器的应用、负反馈放大电路和直流稳压电源；第二部分数字电子技术，介绍数字逻辑基础、逻辑门电路、组合逻辑电路应用、触发器、时序逻辑电路、555定时电路、数/模和模/数转换。
《电子技术基础》所选内容与现代科技的发展相结合，突出新技术、新器件。概念的阐述准确、语言简明扼要，避免繁复的公式推导，适合作为高等院校计算机、通信类专业或相近专业的教材，也可供有关专业的工程技术人员参考。
《电子技术基础》所选内容与现代科技的发展相结合，突出新技术、新器件。概念的阐述准确、语言简明扼要，避免繁复的公式推导，适合作为高等院校计算机、通信类专业或相近专业的教材，也可供有关专业的工程技术人员参考。
目录
第一章 半导体器件基础知识
第一节 半导体的基础知识
一、半导体的概念
二、半导体的特性
三、本征半导体
四、N型和P型半导体
五、PN结
第二节 半导体二极管
一、二极管的结构
二、二极管的类型
三、二极管的伏安特性
四、二极管的主要参数
五、特殊二极管
第三节 半导体三极管
一、三极管的结构和分类
二、三极管的电流放大作用及其放大的基本条件
三、三极管的伏安特性
四、三极管的主要参数
第四节 场效应管
一、N沟道增强型绝缘栅场效应管MOSFET
二、耗尽型绝缘栅场效应管的结构及其工作原理
三、结型场应管简介
四、场效应管的主要参数
习题一
第二章 基本放大电路
第三章 集成运算放大器的基本概念
第四章 集成运算放大器的应用
第五章 负反馈放大电路
第六章 直流稳压电源
第七章 数字逻辑基础
第八章 逻辑门电路
第九章 组合逻辑电路应用
第十章 触发器
第十一章 时序逻辑电路
第十二章 555定时电路
第十三章 数／模和模／数转换
附录一 常用符号说明
附录二 半导体器件型号命名方法
附录三 常用数字集成电路一览表
参考文献
第一节 半导体的基础知识
一、半导体的概念
二、半导体的特性
三、本征半导体
四、N型和P型半导体
五、PN结
第二节 半导体二极管
一、二极管的结构
二、二极管的类型
三、二极管的伏安特性
四、二极管的主要参数
五、特殊二极管
第三节 半导体三极管
一、三极管的结构和分类
二、三极管的电流放大作用及其放大的基本条件
三、三极管的伏安特性
四、三极管的主要参数
第四节 场效应管
一、N沟道增强型绝缘栅场效应管MOSFET
二、耗尽型绝缘栅场效应管的结构及其工作原理
三、结型场应管简介
四、场效应管的主要参数
习题一
第二章 基本放大电路
第三章 集成运算放大器的基本概念
第四章 集成运算放大器的应用
第五章 负反馈放大电路
第六章 直流稳压电源
第七章 数字逻辑基础
第八章 逻辑门电路
第九章 组合逻辑电路应用
第十章 触发器
第十一章 时序逻辑电路
第十二章 555定时电路
第十三章 数／模和模／数转换
附录一 常用符号说明
附录二 半导体器件型号命名方法
附录三 常用数字集成电路一览表
参考文献
