目 录第1章 绪论 1本章小结 5习题 6第2章 硅单晶材料学 72.1 硅及其化合物的基本性质 72.2 硅的晶体结构 132.3 硅的生长加工方法 162.4 硅材料与器件的关系 19本章小结 21习题 22第3章 薄膜基础知识 233.1 薄膜的定义及应用 233.2 薄膜结构、缺陷及基本性质 263.2.1 薄膜的基本结构及缺陷 263.2.2 薄膜的基本性质 293.3 薄膜衬底材料的一般知识 343.3.1 玻璃衬底 343.3.2 陶瓷衬底 353.3.3 单晶体衬底 363.3.4 衬底清洗 373.4 薄膜的性能检测简介 403.4.1 薄膜的厚度检测 403.4.2 薄膜的可靠性 43本章小结 44习题 44第4章 氧化技术 464.1 二氧化硅（SiO2）薄膜简介 474.2 氧化技术原理 494.2.1 热氧化技术的基本原理 504.2.2 水汽氧化 514.2.3 湿氧氧化工艺原理 524.2.4 三种热氧化工艺方法的优缺点 534.3 氧化工艺的一般过程 544.4 氧化膜质量评价 584.4.1 SiO2薄膜表面观察法 584.4.2 SiO2薄膜厚度的测量 584.5 热氧化过程中存在的一般问题分析 614.5.1 氧化层厚度不均匀 614.5.2 氧化层表面的斑点 614.5.3 氧化层的针孔 624.5.4 SiO2氧化层中的钠离子污染 62本章小结 62习题 63第5章 溅射技术 645.1 离子溅射的基本原理 645.1.1 溅射现象 645.1.2 溅射产额及其影响因素 655.1.3 选择溅射现象 705.1.4 溅射镀膜工艺 705.2 溅射工艺设备 725.2.1 直流溅射台 745.2.2 射频溅射台 775.2.3 磁控溅射 795.3 溅射工艺应用及工艺实例 80本章小结 83习题 83第6章 真空蒸镀技术 846.1 真空蒸镀技术简介 846.2 真空蒸镀工艺的相关参数 866.2.1 工艺真空 866.2.2 饱和蒸气压 886.2.3 蒸发速率和沉积速率 886.3 真空蒸镀源 896.4 真空蒸镀设备 906.4.1 热阻加热式蒸镀机（蒸发机） 926.4.2 电子束蒸发台 94本章小结 96习题 97第7章 CVD技术 987.1 CVD技术简介 987.2 常用CVD技术简介 997.3 低压化学气相淀积（LPCVD） 1037.4 PECVD 1077.5 CVD系统的模型及基本理论 1157.6 CVD工艺系统简介 1177.6.1 CVD的气体源系统 1187.6.2 CVD的质量流量控制系统 1187.6.3 CVD反应腔室内的热源 119本章小结 119习题 119第8章 其他半导体薄膜加工技术简介 1218.1 外延技术 1218.1.1 分子束外延 1218.1.2 液相外延（LPE） 1238.1.3 气相外延（VPE） 1248.1.4 选择外延（SEG） 1258.2 离子束沉积和离子镀 1268.3 电镀技术 1288.4 化学镀 1318.5 旋涂技术 1318.6 溶胶-凝胶法 133本章小结 134习题 134参考文献 134