第1篇　半导体物理及器件
　第1章　半导体物理基础
　　1.1　半导体材料
　　1.2　半导体的结构
　　1.3　半导体的缺陷
　　1.4　半导体的能带
　　1.5　费米能级
　　1.6　半导体的载流子浓度
　　1.7　半导体的载流子运动
　　习题
　　参考文献
　第2章　二极管
　　2.1　二极管的基本结构
　　2.2　pn结的形成及杂质分布
　　2.3　平衡pn结
　　2.4　二极管的偏压特性
　　2.5　二极管直流特性的影响因素
　　2.6　二极管的击穿特性
　　2.7　二极管的开关特性
　　习题
　　参考文献
　第3章　双极型晶体管
　　3.1　双极型晶体管概述
　　3.2　双极型晶体管的基本结构
　　3.3　双极型晶体管的放大作用
　　3.4　双极型晶体管的特性曲线
　　3.5　反向电流及击穿电压特性
　　3.6　基极电阻
　　3.7　双极型晶体管的开关特性
　　习题
　　参考文献
　第4章　MOS场效应晶体管
　　4.1　MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理和分类
　　4.2　MOS场效应晶体管的阈值电压
　　4.3　MOS场效应晶体管的直流特性
　　4.4　MOS场效应晶体管的小信号参数和频率特性
　　4.5　MOS场效应晶体管的二级效应
　　4.6　MOS场效应晶体管的开关特性
　　习题
　　参考文献
　第5章　无源器件
　　5.1　概述
　　5.2　嵌入式无源器件
　　5.3　集成无源器件
　　5.4　集成电阻
　　5.5　集成式电容
　　5.6　集成式电感
　　习题
　　参考文献
　第6章　器件SPICE模型
　　6.1　SPICE器件模型概述
　　6.2　二极管SPICE模型
　　6.3　双极型晶体管的SPICE模型
　　6.4　MOS场效应晶体管SPICE模型
　　6.5　无源器件SPICE模型
　　习题
　　参考文献
第2篇　半导体制造工艺
　第7章　半导体工艺技术
　　7.1　衬底清洗
　　7.2　氧化技术
　　7.3　图形加工技术
　　7.4　掺杂技术
　　习题
　　参考文献
　第8章　半导体工艺仿真
　　8.1　ATHENA概述
　　8.2　n沟道MOS场效应晶体管仿真
　　8.3　光刻工艺仿真
　　习题
　　参考文献
　第9章　薄膜制备技术
　　9.1　物理制备技术
　　9.2　化学制备技术
　　习题
　　参考文献
第3篇　半导体器件封装及测试
　第10章　半导体封装技术
　　10.1　封装技术概述
　　10.2　封装功能和作用
　　10.3　封装工艺
　　10.4　封装材料
　　10.5　封装类型
　　10.6　其他封装技术
　　习题
　　参考文献
　第11章　半导体参数测试技术
　　11.1　半导体电阻率测试
　　11.2　半导体的导电类型测试及影响因素
　　11.3　氧化膜厚度测试
　　11.4　结深测试
　　11.5　外延层杂质浓度测试
　　11.6　非平衡少数载流子寿命的测试
　　11.7　双极型晶体管参数测试
　　11.8　MOS场效应晶体管参数测试
　　习题
　　参考文献
附录
　附录A　主要半导体材料及其特性
　附录B　双极型晶体管的模型参数
　附录C　MOS器件的SPICE Level 1、2、3的模型参数
　附录D　物理常数
　附录E　国际单位制
　附录F　主要参数符号表