薄膜晶体管原理及应用 / 高等学校电子信息类专业系列教材
￥39.00定价
作者： 董承远
出版时间：2016年2月
出版社：清华大学出版社
- 清华大学出版社
- 9787302430001
- 1-1
- 138160
- 16开
- 2016年2月
- 电子科学与技术
- TN321
- 电工电子
- 高职高专
内容简介
作为薄膜晶体管(TFT)技术的入门教材，本书以非晶硅薄膜晶体管（aSi TFT)和多晶硅薄膜晶体管(pSi TFT)为例详细讲解了与TFT技术相关的材料物理、器件物理和制备工艺原理及其在平板显示中的应用原理等。 本书共分7章。第1章简单介绍了薄膜晶体管的发展简史； 第2章详细阐述了TFT在平板显示有源矩阵驱动中的应用原理； 第3章深入讲解了薄膜晶体管相关的半导体、绝缘体和电极材料物理； 第4章详细阐述了非晶硅TFT和多晶硅TFT器件物理的相关基础知识； 第5章系统介绍了TFT制备的单项工艺原理； 第6章仔细讲解了非晶硅TFT阵列和多晶硅TFT阵列工艺整合原理； 第7章简单总结全书并展望了以aIGZO TFT为代表的非晶氧化物薄膜晶体管技术的发展趋势。每章后附有习题，可供课堂练习或课后作业使用。 本书适合于作为大学本科生和研究生相关课程的教材，也适合针对从事TFT技术相关工作的工程技术人员作为技术培训和在职进修的教材或参考书籍。
目录
第1章绪论
1.1薄膜晶体管发展简史
1.2薄膜晶体管的技术分类及比较
1.3薄膜晶体管的应用简介
1.4本书的主要内容及架构
习题
参考文献
第2章平板显示的有源矩阵驱动
2.1平板显示简介
2.1.1显示技术的分类及特性指标
2.1.2平板显示的定义和分类
2.1.3液晶显示器件的基本原理
2.1.4有机发光二极管显示的基本原理
2.2液晶显示的有源矩阵驱动
2.2.1液晶显示的静态驱动和无源矩阵驱动简介
2.2.2AMLCD像素电路的充放电原理
2.2.3AMLCD像素阵列的相关原理
2.2.4液晶显示有源矩阵驱动的特殊方法
2.2.5液晶显示有源矩阵驱动的技术要求
2.3有机发光二极管显示的有源矩阵驱动
2.3.1有机发光二极管显示的无源矩阵驱动简介
2.3.2有机发光二极管显示的有源矩阵驱动基本原理
2.3.3有机发光二极管有源矩阵驱动的技术要求
2.4本章小结
习题
参考文献
第3章薄膜晶体管材料物理
3.1非晶硅材料物理
3.1.1非晶体简介
3.1.2非晶硅材料结构
3.1.3非晶硅电学特性
3.2多晶硅材料物理
3.2.1多晶体简介
3.2.2多晶硅材料结构
3.2.3多晶硅电学特性
3.3薄膜晶体管绝缘层材料
3.3.1绝缘层介电特性
3.3.2绝缘层漏电特性
3.3.3氮化硅薄膜
3.3.4氧化硅薄膜
3.4薄膜晶体管电
1.1薄膜晶体管发展简史
1.2薄膜晶体管的技术分类及比较
1.3薄膜晶体管的应用简介
1.4本书的主要内容及架构
习题
参考文献
第2章平板显示的有源矩阵驱动
2.1平板显示简介
2.1.1显示技术的分类及特性指标
2.1.2平板显示的定义和分类
2.1.3液晶显示器件的基本原理
2.1.4有机发光二极管显示的基本原理
2.2液晶显示的有源矩阵驱动
2.2.1液晶显示的静态驱动和无源矩阵驱动简介
2.2.2AMLCD像素电路的充放电原理
2.2.3AMLCD像素阵列的相关原理
2.2.4液晶显示有源矩阵驱动的特殊方法
2.2.5液晶显示有源矩阵驱动的技术要求
2.3有机发光二极管显示的有源矩阵驱动
2.3.1有机发光二极管显示的无源矩阵驱动简介
2.3.2有机发光二极管显示的有源矩阵驱动基本原理
2.3.3有机发光二极管有源矩阵驱动的技术要求
2.4本章小结
习题
参考文献
第3章薄膜晶体管材料物理
3.1非晶硅材料物理
3.1.1非晶体简介
3.1.2非晶硅材料结构
3.1.3非晶硅电学特性
3.2多晶硅材料物理
3.2.1多晶体简介
3.2.2多晶硅材料结构
3.2.3多晶硅电学特性
3.3薄膜晶体管绝缘层材料
3.3.1绝缘层介电特性
3.3.2绝缘层漏电特性
3.3.3氮化硅薄膜
3.3.4氧化硅薄膜
3.4薄膜晶体管电
