- 科学出版社
- 9787030436467
- 1-7
- 46217516-7
- 16开
- 2026-07
- 350
- 理工
内容简介
目录
目录
前言
第1章 绪论 1
1.1 实验目的 l
1.2 实验要求 l
1.3 洁净室简介 2
1.4 实验室安全与注意事项 3
第2章 半导体工艺实验 6
2.1 光掩模版介绍 6
2.2 工艺流程介绍 10
2.3 硅片清洗实验 21
2.4 热氧化工艺实验 24
2.5 光刻工艺实验 35
2.6 湿法刻蚀工艺实验 42
2.7 磷扩散工艺实验 45
2.8 金属蒸镀工艺实验 48
第3章 半导体材料与器件特性表征实验 53
3.1 高频光电导衰减法测量硅单晶非平衡少数载流子寿命实验 53
3.2 四探针法测量硅片电阻率与杂质浓度实验 62
3.3 半导体材料的霍尔效应测量实验 77
3.4 pn结的电容-电压(C-V)特性测试实验 84
3.5 双极型晶体管的直流参数测试实验 92
3.6 薄膜晶体管器件电学特性测试实验 108
3.7 MOS结构的Si-SiO2界面态密度分布测量实验 115
第4章 综合实验 121
4.1 半导体仿真工具SILVACO TCAD介绍 121
4.2 工艺仿真的基本操作 154
4.3 PMOS器件工艺仿真实验 167
4.4 半导体器件物理特性仿真实验 168
4.5 半导体器件设计实验 173
4.6 半导体器件制备和特性测试实验 178
参考文献 183
前言
第1章 绪论 1
1.1 实验目的 l
1.2 实验要求 l
1.3 洁净室简介 2
1.4 实验室安全与注意事项 3
第2章 半导体工艺实验 6
2.1 光掩模版介绍 6
2.2 工艺流程介绍 10
2.3 硅片清洗实验 21
2.4 热氧化工艺实验 24
2.5 光刻工艺实验 35
2.6 湿法刻蚀工艺实验 42
2.7 磷扩散工艺实验 45
2.8 金属蒸镀工艺实验 48
第3章 半导体材料与器件特性表征实验 53
3.1 高频光电导衰减法测量硅单晶非平衡少数载流子寿命实验 53
3.2 四探针法测量硅片电阻率与杂质浓度实验 62
3.3 半导体材料的霍尔效应测量实验 77
3.4 pn结的电容-电压(C-V)特性测试实验 84
3.5 双极型晶体管的直流参数测试实验 92
3.6 薄膜晶体管器件电学特性测试实验 108
3.7 MOS结构的Si-SiO2界面态密度分布测量实验 115
第4章 综合实验 121
4.1 半导体仿真工具SILVACO TCAD介绍 121
4.2 工艺仿真的基本操作 154
4.3 PMOS器件工艺仿真实验 167
4.4 半导体器件物理特性仿真实验 168
4.5 半导体器件设计实验 173
4.6 半导体器件制备和特性测试实验 178
参考文献 183
