微电子学概论（第三版）
￥42.00定价
作者： 张兴、黄如、刘晓彦
出版时间：2010年2月
出版社：北京大学出版社
- 北京大学出版社
- 9787301168790
- 200041
- 2010年2月
- 电气信息
- 本专科
作者简介
内容简介
本书是在2000年1月北京大学出版社的《微电子学概论》一书的基础上形成的。本书主要介绍了微电子技术的发展历史，半导体物理和器件物理基础知识，集成电路及SOC的制造、设计以及计算机辅助设计技术基础，光电子器件，微电子系统技术和纳电子器件等的基础知识，最后给出了微电子技术发展的一些规律和展望。本书的特点是让外行的人不觉得肤浅，将电子学领域中的一些最新观点、最新成果涵盖其中。 本书可以作为微电子专业及电子信息科学与技术、计算机科学与技术等相关专业的本科生研究生的教材或教学参考书，同时也可以作为从事微电子或电子信
目录
第一章 绪论 1.1 晶体管的发明 1.2 集成电路的发展历史 1.3 集成电路的分类 1.3.1 按器件结构类型分类 1.3.2 按集成电路规模分类 1.3.3 按结构形式分类 1.3.4 按电路功能分类 1.3.5 集成电路的分类小结 1.4 微电子学的特点第二章 半导体物理和器件物理基础 2.1 半导体及其基本特性 2.1.1 金属-半导体-绝缘体 2.1.2 半导体的掺杂 2.2 半导体中的载流子 2.2.1 半导体中的能带 2.2.2 多子和少子的热平衡 2.2.3 电子的平衡统计规律 2.3 半导体的电导率和载流子输运 2.3.1 迁移率 2.3.2 过剩载流子 2.4 pn结 2.4.1 平衡pn结 2.4.2 pn结的正向特性 2.4.3 pn结的反向特性 2.4.4 pn结的击穿 2.4.5 pn结的电容 2.5 双极晶体管 2.5.1 双极晶体管的基本结构 2.5.2 晶体管的电流传输 2.5.3 晶体管的电流放大系数 2.5.4 晶体管的直流特性曲线 2.5.5 晶体管的反向电流与击穿电压 2.5.6 晶体管的频率特性 2.6 MOS场效应晶体管 2.6.1 MOS场效应晶体管的基本结构 2.6.2 MIS结构 2.6.3 MOS场效应晶体管的直流特性 2.6.4 MOS场效应晶体管的种类 2.6.5 MOS场效应晶体管的电容第三章 大规模集成电路基础 3.1 半导体集成电路概述 3.2 CMOS集成电路基础 3.2.1 集成电路中的MOSFET 3.2.2 MOS数字集成电路 3.2.3 CMOS集成电路 3.3 半导体存储器集成电路 3.3.1 存储器的种类和基本结构 3.3.2 随机存取存储器(RAM) 3.3.3 掩模只读存储器(ROM) ……第四章 集成电路制造工艺第五章 半导体材料第六章 集成电路设计第七章 集成电路设计的EDA系统第八章 系统芯片(SOC)设计第九章 光电子器件第十章 微机电系统第十一章 集成电路封装第十二章 微电子技术发展的规律和趋势附录A附录B
