前辅文
 第1章 绪论
  1.1 引言
  1.2 半导体产业的发展
  1.3 电路集成
  1.4 集成电路制造
  1.5 半导体产业的发展趋势
  1.6 电子时代
 第2章 集成电路器件物理
  2.1 硅半导体的基本物理特性
  22.金属氧-化物半-导体二极管
  23.金属-氧化物-半导体场效应晶体管
  24.短沟道效应
  25.轻掺杂漏极(LDD)MOSFET器件
  2.6 器件缩小原理(scaling principle)
  2.7 纳米MOSFET器件中的载流子输运模型及其特性
  2.8 发展硅纳电子学集成电路的限制
  参考文献
 第3章 半导体材料物理化学基础及加工技术
  3.1 相图和固溶度
  3.2 晶体结构和缺陷
  3.3 硅片的生长技术
  3.4 区熔法生长单晶
  3.5 GaAs单晶体的液封直拉法生长技术
  3.6 布氏法生长GaAs
  3.7 晶片成形
  3.8 晶片的测试分析技术
  参考文献
 第4章 半导体制备用材料及化学品
  4.1 概述
  4.2 清洗技术用高纯度化学品
  4.3 光刻技术用材料及化学品
  4.4 刻蚀技术用高纯度化学品
  4.5 化学气相沉积工艺用材料及化学品
  4.6 平坦化技术用材料及化学品
  4.7 结论
  参考文献
 第5章 硅片清洗工艺
  5.1 晶片清洗概论
  5.2 晶片清洗的要求
  5.3 湿式化学清洗技术
  5.4 物理清洗技术
  5.5 干式清洗技术
  5.6 清洗设备的结构
  5.7 总结及对未来清洗技术的展望
  参考文献
 第6章 氧化工艺
  6.1 概述
  6.2 SiO2膜的结构､性质及其作用
  6.3 热氧化的原理
  6.4 氧化方法
  6.5 氧化工艺的设备
  6.6 氧化膜的质量评价
  参考文献
 第7章 化学气相沉积技术
  7.1 概述
  7.2 CVD基本原理简介
  7.3 各种CVD反应简介
  7.4 CVD装置
  7.5 CVD制备工艺
  参考文献
 第8章 离子注入技术
  8.1 概述
  8.2 离子注入技术的基本原理
  8.3 离子注入设备
  8.4 离子注入层特性的测量和分析
  参考文献
 第9章 金属沉积技术
  9.1 概述
  9.2 未来金属化的展望
  9.3 化学气相沉积金属制作工艺
  9.4 物理气相沉积金属的工艺
  参考文献
 第10章 扩散工艺
  10.1 概述
  10.2 扩散原理
  10.3 硅中杂质原子的扩散方式
  10.4 扩散设备
  10.5 与扩散有关的参数测量
  参考文献
 第11章 快速加热处理工艺
  11.1 快速加热处理工艺简介
  11.2 快速加热化学气相沉积
  11.3 快速氧化层生长及氮化
  11.4 注入离子活化及浅结面的形成
  11.5 金属硅化物的形成
  11.6 磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)的缓流及再缓流
  11.7 外延生长
  11.8 快速升温系统介绍
  参考文献
 第12章 刻蚀流程与设备
  12.1 概述
  12.2 湿法刻蚀
  12.3 干法刻蚀
  12.4 半导体工艺中常用材料的干法刻蚀
  12.5 前瞻
  参考文献
 第13章 光刻工艺
  13.1 概述
  13.2 光刻胶及其主要性能
  13.3 光刻对准曝光系统
  13.4 光刻工艺过程
  13.5 光刻质量的检测
  13.6 掩模版的制造
  参考文献
 第14章 金属化及平坦化工艺
  14.1 概述
  14.2 金属化处理技术
  14.3 金属连线的生产技术
  14.4 连线制备技术的展望
  14.5 介质绝缘膜的制备技术
  14.6 低介电常数材料
  14.7 高介电常数材料
  14.8 CMP设备及消耗材料
  14.9 CMP的工艺控制
  参考文献
 第15章 微分析技术及缺陷改善工程
  15.1 概述
  15.2 微分析仪器的分类
  15.3 微分析仪器在半导体工业中的应用
  15.4 常用微分析仪器介绍
  15.5 失效分析简介
  15.6 缺陷改善工程
  15.7 结论
  参考文献
 第16章 工艺整合与自动化
  16.1 概述
  16.2 工艺整合技术
  16.3 CIM及自动化
  16.4 半导体制造厂计算机信息整合制造的实践
  16.5 信息技术/自动化技术顾问公司的支持
  参考文献