半导体材料与器件表征（第3版）（国外名校最新教材精选）
￥128.00定价
作者： 【美】迪特尔 施罗德
出版时间：2018年2月
出版社：西安交通大学出版社
- 西安交通大学出版社
- 9787569302189
- 274534
- 2018年2月
内容简介
本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。 本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个彻底修订和更新的第3版，包括： 反映新数据和信息的更新及订正图表和实例 260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题 每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题 读者将在每章中找到完全更新和修订的节。 另外还增加了两个新章节： 基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。 可靠性和失效分析研究了失效时间和分布函数，讨论了电迁移、热载流子、栅氧化层完整性、负偏压温度不稳定性、应力诱导漏电流和静电放电。 该教科书由本领域国际公认的撰写。《半导体材料与器件表征》对研究生以及半导体器件和材料领域的专业人员来说仍然是必不可少的阅读材料。
目录
译者序第3版序言第1章 电阻率1．1 引言1．2 两探针与四探针法1．2．1 修正因子1．2．2 任意形状样品的电阻率1．2．3 测量电路1．2．4 测量误差和注意事项1．3 晶片图1．3．1 双注入1．3．2 调制光反射1．3．3 载流子光照（CI）1．3．4 光学密度测定（光密度计）1．4 电阻压型1．4．1 微分霍尔效应（DHE）1．4．2 扩散电阻压型（SRP）1．5 非接触测试方法1．5．1 涡旋电流1．6 导电类型1．7 优点和缺点附录1．1 电阻率随掺杂浓度的变化附录1．2 本征载流子浓度参考文献习题复习题第2章 载流子与掺杂浓度2．1 引言2．2 电容-电压特性（C-V）2．2．1 微分电容2．2．2 能带偏移2．2．3 最大-最小MOS-C电容2．2．4 积分电容2．2．5 汞探针接触2．2．6 电化学C-V测试仪（ECV）2．3 电容-电压（I-V）2．3．1 MOSFET衬底电压-栅极电压2．3．2 MOSFET阈值电压2．3．3 扩散电阻2．4 测量误差及注意事项2．4．1 德拜长度和电压击穿2．4．2 串联电阻2．4．3 少数载流子和界面陷阱2．4．4 二极管边缘电容和杂散电容2．4．5 过剩漏电流2．4．6 深能级杂质／陷阱2．4．7 半绝缘衬底2．4．8 仪器限制2．5 霍尔效应2．6 光学技术2．6．1 等离子体共振2．6．2 自由载流子吸收2．6．3 红外光谱学2．6．4 光致发光2．7 二次离子质谱分析法（SIMS）2．8 卢瑟福背散射（RBS）2．9 横向分布2．10 优点和缺点附录2．1 并联或串联连接附录2．2 电路转换参考文献习题复习题第3章 接触电阻和肖特基势垒第4章 串联电阻，沟道长度与宽度，阈值电压第5章 缺陷第6章 栅氧电荷、界面陷阱电荷和栅氧厚度第7章 载流子寿命第8章 迁移率第9章 基于电荷和探针的表征技术第10章 光学表征第11章 化学和物理表征第12章 可靠性和失效分析附录1 符号表附录2 术语与缩写索引
