目 录__eol__第1章 LED材料外延与检测技术 1__eol__1.1 LED外延基础知识 1__eol__1.1.1 LED的外延结构 1__eol__1.1.2 LED的外延生长基本知识 2__eol__1.2 MOCVD技术基本背景 4__eol__1.2.1 MOCVD技术的背景知识 4__eol__1.2.2 MOCVD外延生长中的基本机制和原理 5__eol__1.3 MOCVD设备简介 9__eol__1.3.1 原材料气源供应系统 9__eol__1.3.2 MOCVD反应室分系统 12__eol__1.3.3 MOCVD设备的其他功能子系统 16__eol__1.4 MOCVD源材料 19__eol__1.4.1 金属有机化合物源（MO源） 19__eol__1.4.2 气体源（氢化物、载气） 22__eol__1.4.3 衬底 24__eol__1.5 氮化物LED材料的检测技术 27__eol__1.5.1 高分辨X射线检测技术 27__eol__1.5.2 光致发光测试技术 31__eol__1.5.3 霍尔测试技术 34__eol__1.5.4 电容电压测试技术 36__eol__1.5.5 AFM和TEM检测技术 38__eol__参考文献 42__eol__第2章 蓝绿光LED外延结构设计与制备 46__eol__2.1 氮化物半导体材料的性质 46__eol__2.1.1 氮化物材料的基本性质 46__eol__2.1.2 氮化物材料中的极化电场 49__eol__2.2 氮化物LED的能带结构 52__eol__2.2.1 pn结的能带结构 52__eol__2.2.2 量子阱能带结构 57__eol__2.3 氮化物LED多量子阱的设计及生长 61__eol__2.3.1 极化电场对量子阱能带的影响 62__eol__2.3.2 量子垒设计及其对载流子输运的影响 62__eol__2.3.3 量子阱设计及其对载流子分布的影响 64__eol__2.3.4 多量子阱界面的优化生长 66__eol__2.4 氮化物LED电子阻挡层及p型层的设计 68__eol__2.4.1 电子阻挡层的电子限制作用 68__eol__2.4.2 电子阻挡层对空穴注入的影响 70__eol__2.4.3 p-GaN层的优化生长 72__eol__参考文献 73__eol__第3章 红黄光LED外延生长技术 75__eol__3.1 红光LED材料及LED基本结构 75__eol__3.1.1 LED外延材料选取的原则 75__eol__3.1.2 红光LED外延材料——AlGaInP的性质 76__eol__3.1.3 红光LED基本外延结构 78__eol__3.2 红光LED的材料外延 79__eol__3.2.1 红光LED材料外延的工艺设计 79__eol__3.2.2 有源区材料的外延 82__eol__3.2.3 限制层材料的外延 84__eol__3.2.4 窗口层材料的外延 86__eol__3.3 共振腔LED结构与外延 88__eol__3.3.1 共振腔LED结构及设计 88__eol__3.3.2 650nm共振腔LED外延 91__eol__3.3.3 650nm共振腔LED芯片工艺 93__eol__参考文献 94__eol__第4章 LED芯片结构及制备工艺 96__eol__4.1 芯片制造基础工艺 96__eol__4.1.1 蒸镀工艺 96__eol__4.1.2 光刻工艺 98__eol__4.1.3 刻蚀工艺 103__eol__4.1.4 沉积工艺 104__eol__4.1.5 退火工艺 105__eol__4.1.6 研磨抛光工艺 106__eol__4.1.7 点测工艺 109__eol__4.1.8 检验工艺 111__eol__4.2 蓝绿光LED芯片结构及制备工艺 114__eol__4.2.1 正装结构设计及制备工艺 114__eol__4.2.2 倒装结构芯片及制备工艺 120__eol__4.3 垂直结构设计及制备工艺 123__eol__4.3.1 垂直结构芯片的优势 124__eol__4.3.2 垂直结构芯片的制备工艺 125__eol__4.4 高压LED芯片设计及制备工艺 126__eol__4.4.1 高压LED芯片的优点 127__eol__4.4.2 GaN基高压LED结构设计 129__eol__4.4.3 GaN基高压LED制备工艺 132__eol__参考文献 133__eol__第5章 蓝绿光LED高光提取技术 136__eol__5.1 电流阻挡层（Current Blocking Layer，CBL） 137__eol__5.2 隐形切割（Stealth Dicing，SD） 139__eol__5.3 粗化（Rough） 142__eol__5.4 反射电极（Reflected Pad） 147__eol__5.5 侧腐蚀（Sidewall Etching，SWE） 151__eol__5.6 表面纹理化（Surface Texture） 157__eol__5.6.1 在LED外延层上直接引入纹理化图形 157__eol__5.6.2 在透明导电层上引入纹理化图形 161__eol__5.6.3 在传统透明导电层上引入其他透明导电层 162__eol__5.7 分布布拉格反射镜（Distribution Blagg Reflector） 163__eol__5.8 图形蓝宝石衬底（Pattern Sapphire Substrate，PSS） 168__eol__参考文献 172__eol__第6章 黄红光LED芯片结构与制备工艺 178__eol__6.1 红、黄色LED基本结构和制备工艺流程 179__eol__6.1.1 正装AlGaInP LED芯片结构及制备工艺 179__eol__6.1.2 倒装芯片结构及工艺流程 181__eol__6.2 红、黄光LED电极结构及电流扩展技术 184__eol__6.2.1 芯片电极形状变化 184__eol__6.2.2 电流扩展层技术及透明电极 185__eol__6.2.3 电流阻挡层 188__eol__6.3 GaAs基LED高光提取技术 189__eol__6.3.1 透明光学窗口层技术 189__eol__6.3.2 倒梯形等外形结构 190__eol__6.3.3 表面粗化 191__eol__6.3.4 光子晶体LED 194__eol__6.4 转移衬底器件的反射镜 194__eol__6.4.1 金属反射镜结构 195__eol__6.4.2 全方向反射镜结构（ODR） 197__eol__6.5 高亮度和大功率AlGaInP LED技术 200__eol__参考文献 202__eol__第7章 LED封装基础知识 207__eol__7.1 LED器件封装的主要功能 208__eol__7.1.1 光电器件封装的机电连接与保护特性 208__eol__7.1.2 发光器件的光谱转换与实现 209__eol__7.2 LED器件封装的光学设计 210__eol__7.2.1 LED器件的光提取效率 210__eol__7.2.2 LED封装后的光学特性 212__eol__7.2.3 荧光粉光学特性的计算与分析 217__eol__7.3 LED器件封装的热学设计 224__eol__7.3.1 LED的热特性 224__eol__7.3.2 LED封装的热阻模型 226__eol__7.3.3 热场分布的计算机辅助分析 229__eol__参考文献 232