前辅文
 第1章 绪论
  1.1 微波射频异质结晶体管的分类
  1.2 异质结晶体管的特性指标
  1.3 半导体器件射频微波建模和测试
  1.4 本书的目标和结构
  参考文献
 第2章 半导体器件建模中的去嵌方法
  2.1 基本网络参数
   2.1.1 信号参数
   2.1.2 信号参数之间的关系
  2.2 二口网络的噪声特性
   2.2.1 噪声相关矩阵
   2.2.2 噪声相关矩阵之间的关系
  2.3 二口网络的互联
  2.4 寄生元件削去方法
   2.4.1 并联寄生元件削去方法
   2.4.2 串联寄生元件削去方法
   2.4.3 级联寄生元件削去方法
  2.5 HBT 器件寄生元件的去嵌方法
   2.5.1 PAD电容的去嵌方法
   2.5.2 寄生电感的去嵌方法
   2.5.3 寄生电阻的去嵌方法
  2.6 本章小结
  参考文献
 第3章 HBT器件基本工作原理
  3.1 PN结二极管
  3.2 双极晶体管工作原理
   3.2.1 工作机理
   3.2.2 工作模式
   3.2.3 基区宽度调制效应
   3.2.4 大电流注入效应
  3.3 异质结晶体管工作原理
   3.3.1 半导体异质结工作原理
   3.3.2 常用HBT器件的物理结构和工作机理
  3.4 本章小结
  参考文献
 第4章 寄生元件提取方法
  4.1 HBT器件寄生元件网络
  4.2 PAD电容提取方法
   4.2.1 开路测试结构提取方法
   4.2.2 截止状态提取方法
   4.2.3 考虑分布效应的提取方法
  4.3 寄生电感提取方法
   4.3.1 短路测试结构提取方法
   4.3.2 集电极开路提取方法
   4.3.3 馈线的趋肤效应
  4.4 寄生电阻提取方法
   4.4.1 集电极开路方法
   4.4.2 Z参数方法
   4.4.3 截止状态方法
   4.4.4 基于T-π网络转换的提取方法
  4.5 本章小结
  参考文献
 第5章 HBT本征元件提取方法
  5.1 HBT器件本征网络
   5.1.1 T型等效电路模型
   5.1.2 π型等效电路模型
   5.1.3 T型模型和π型模型的关系
  5.2 器件结构
  5.3 主要技术指标
   5.3.1 Mason单向功率增益
   5.3.2 特征频率和最大振荡频率
  5.4 本征元件提取方法
   5.4.1 直接提取方法
   5.4.2 混合提取方法
  5.5 本章小结
  参考文献
 第6章 异质结晶体管大信号模型
  6.1 线性和非线性
  6.2 大信号模型和小信号模型
  6.3 半导体器件的热阻
   6.3.1 热阻定义
   6.3.2 等效电路模型
  6.4 常用的HBT模型
   6.4.1 VBIC 模型
   6.4.2 Agilent HBT模型
   6.4.3 修正的SGP模型
   6.4.4 本征元件随偏置变化曲线
  6.5 色散效应
   6.5.1 改进的Agilent模型
   6.5.2 DC/AC色散效应
   6.5.3 模型验证与结果分析
  6.6 本章小结
  参考文献
 第7章 异质结晶体管噪声等效电路模型
  7.1 异质结晶体管噪声等效电路模型
  7.2 噪声参数计算公式
  7.3 异质结晶体管噪声参数提取方法
   7.3.1 基于调谐器原理的噪声参数提取方法
   7.3.2 基于50Ω噪声测量系统的场效应晶体管噪声参数提取方法
  7.4 共基极、共集电极和共发射极结构的场效应晶体管
   7.4.1 信号参数之间的关系
   7.4.2 噪声参数之间的关系
   7.4.3 理论验证和实验结果
  7.5 按比例缩放噪声模型
   7.5.1 小信号模型参数的缩放规则
   7.5.2 噪声模型参数的缩放规则
   7.5.3 实验结果和验证
  7.6 含有独立噪声源的噪声电路模型
   7.6.1 基极和集电极噪声源的影响
   7.6.2 经验噪声电路模型
  7.7 本章小结
  参考文献