第1章薄膜技术11生物计算(biocomputing)和薄膜技术12医用微型机械13人工脑的实现（μElectronics）14大型显示的实现15原子操控16薄膜技术概略参考文献第2章真空的基础21真空的定义22真空的单位23气体的性质231平均速率 Va232分子直径 δ233平均自由程 L234碰撞频率 Z24气体的流动和流导241孔的流导242长管的流导 （L/a≥100）243短管的流导244流导的合成25蒸发速率参考文献第3章真空泵和真空测量31真空泵311油封式旋片机械泵312油扩散泵313吸附泵314溅射离子泵315升华泵316冷凝泵317涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵318干式机械泵32真空测量仪器——全压计321热导型真空计322电离真空计——电离规323磁控管真空计324盖斯勒（Geissler）规管325隔膜真空计326石英晶振真空计327组合式真空规328真空计的安装方法33真空测量仪器——分压计331磁偏转型质谱仪332四极质谱仪333有机物质质量分析IAMS法参考文献第4章真空系统41抽气的原理42材料的放气43抽气时间的推算44用于制备薄膜的真空系统441残留气体442用于制备薄膜的真空系统45真空检漏451检漏方法452检漏应用实例参考文献第5章薄膜基础51气体与固体511化学吸附和物理吸附512吸附几率和吸附（弛豫）时间52薄膜的生长521核生长522单层生长53外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系531外延生长的温度532基板晶体的解理533真空度的影响534残留气体的影响535蒸发速率的影响536基板表面的缺陷——电子束照射的影响537电场的影响538离子的影响539膜厚的影响5310晶格失配54非晶膜层541一般材料的非晶化（非薄膜）542非晶的定义543非晶薄膜544非晶Si膜的多晶化55薄膜的基本性质551电导552电阻率的温度系数（TCR）553薄膜的密度554时效变化555电解质膜56薄膜的内部应力57电致徙动本章小结参考文献第6章薄膜的制备方法61绪论62源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分621蒸发和离子镀622溅射法63附着强度631前处理632蒸发时的条件633蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况）634蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况）64台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备65高速热处理装置（Rapid Thermal Annealing，RTA）66等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用661等离子体662等离子体的产生方法663基本形式和主要用途67基板传送机构68针孔和净化房参考文献第7章基板71玻璃基板及其制造方法72日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长73单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长731坩埚中冷却法732区熔法（Zone Melting，Flot Zone,FZ法）733旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski, CZ法）74气相生长法741闭管中的气相生长法742其他气相生长法75石英玻璃基板76柔性基板（Flexible）参考文献第8章 蒸镀法81蒸发源811电阻加热蒸发源812热阴极电子束蒸镀源813中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源82蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置83实际装置84蒸镀时的真空度85蒸镀实例851透明导电膜In2O3SnO2系列852分子束外延（MBE）853合金的蒸镀——闪蒸86离子镀861离子镀的方式862对薄膜的影响87离子束辅助蒸镀88离子渗，离子束表面改性法89激光烧蚀法（PLA）810有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀参考文献第9章溅射91溅射现象911离子的能量和溅射率，出射角分布912溅射率913溅射原子的能量92溅射方式921磁控溅射922ECR溅射923射频溅射93大电极磁控溅射94“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋941准直溅射942长距离溅射943高真空溅射944自溅射945离子化溅射95 溅射的实例951钽 （Ta）的溅射952Al及其合金的溅射（超高真空溅射）953氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜954磁性膜的溅射955光学膜的溅射 （RAS法）参考文献第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化101热氧化1011处理方式1012热氧化装置1013其他氧化装置102热CVD1021主要的生成反应1022热CVD的特征1023热CVD装置1024反应炉1025常压CVD（Normal Pressure CVD, NPCVD）1026减压CVD（Low Pressure CVD, LPCVD）103等离子体增强CVD （Plasma Enhanced CVD, PCVD）1031等离子体和生成反应1032装置的基本结构和反应室的电极构造104光CVD（PhotoCVD）105 MOCVD（Metalorganic CVD）106金属CVD1061钨CVD1062AlCVD1063CuCVD1064金属阻挡层（TiNCVD）107半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD）108高介电常数薄膜的CVD109低介电常数薄膜1010高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD）1011游离基喷淋CVD（Radical Shower CVD，RSCVD）参考文献第11章刻蚀111湿法刻蚀112等离子体刻蚀，激发气体刻蚀 （圆筒型刻蚀）1121原理1122装置1123配套工艺113反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀）1131原理和特征1132装置1133配套工艺1134Cu和低介电材料（low K）的刻蚀114大型基板的刻蚀115反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀）1151极细离子束设备（聚焦离子束：Focused Ion Beam, FIB）116微机械加工117刻蚀用等离子体源的开发1171等离子体源1172高密度等离子体（HDP）刻蚀参考文献第12章精密电镀121电镀122电镀膜的生长123用于制作电子元器件方面的若干方法124用于高技术的铜电镀125实用的电镀装置示例参考文献第13章平坦化技术131平坦化技术的必要性132平坦化技术概要133平坦薄膜生长1331选择性生长1332利用回填技术的孔内嵌埋（溅射）1333利用氧化物嵌埋技术的平坦化134薄膜生长过程中凹凸发生的防止1341偏压溅射法1342剥离法135薄膜生长后的平坦化加工1351涂覆1352激光平坦化1353回填法1354回蚀法1355阳极氧化和离子注入136嵌埋技术示例137化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）技术138嵌刻法139平坦化新技术展望1391使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术1392用STP（Spin Coating Film Transfer and Pressing）法的嵌埋技术1310高密度微细连接参考文献