纳米半导体器件与技术 / 高新科技译丛
￥95.00定价
作者： (加)印纽斯基
译者：刘明 吕杭炳 译；
出版时间：2013年12月
出版社：国防工业出版社
- 国防工业出版社
- 9787118090789
- 36113
- 2013年12月
- TN303
内容简介
《纳米半导体器件与技术》(作者印纽斯基)这本书由来自工业界和学术界的国际顶级专家参与撰写，是一本对未来纳米制造技术有浓厚兴趣的人必读的书。
《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从标准的CMOS硅工艺到新型器件结构的演变，包括碳纳米管、石墨烯、量子点、III-V族材料。本书涉及纳米电子器件的研究现状，提供了包罗万象的关于材料和器件结构的资源．包括从微电子到纳电子的革命。
本书分三个部分：
半导体材料(例如，碳纳米管，忆阻器及自旋有机器件)；
硅器件与技术(如BICMOS，SOI，各种三维集成和RAM技术．以及太阳能电池)；
复合半导体器件与技术。
本书探索了能够在微电子系统性能上超越传统CMOS的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳米管的电子输运GAN HEMTS技术及应用。针对万亿美元纳米技术产业的真实市场需求和技术壁垒，本书提供了新型元器件结构的重要信息．而这将使其向未来的发展迈出一大步。
《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从标准的CMOS硅工艺到新型器件结构的演变，包括碳纳米管、石墨烯、量子点、III-V族材料。本书涉及纳米电子器件的研究现状，提供了包罗万象的关于材料和器件结构的资源．包括从微电子到纳电子的革命。
本书分三个部分：
半导体材料(例如，碳纳米管，忆阻器及自旋有机器件)；
硅器件与技术(如BICMOS，SOI，各种三维集成和RAM技术．以及太阳能电池)；
复合半导体器件与技术。
本书探索了能够在微电子系统性能上超越传统CMOS的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳米管的电子输运GAN HEMTS技术及应用。针对万亿美元纳米技术产业的真实市场需求和技术壁垒，本书提供了新型元器件结构的重要信息．而这将使其向未来的发展迈出一大步。
目录
第一部分 半导体材料
第1章 碳纳米管中的电子运动：从电子动力学到电路模型
1．1 引言
1．2 碳纳米管的电子动力学
1．2．1 概述
1．2．2 碳纳米管的能带结构
1．2．3 碳纳米管的构造
1．2．4 单壁和多壁碳纳米管中有效的沟道数量
1．3 电磁学中的应用：碳纳米管作为一种新型的散射材料
1．3．1 概述
1．3．2 碳纳米管散射的电磁学模型
1．4 电路中的应用：碳纳米管作为一种新型的互连材料
1．4．1 纳米级互连中的碳纳米管
1．4．2 碳纳米管互连的TL模型
1．4．3 束状碳纳米管作为新型的芯片封装的互连材料
1．5 结论
参考文献
第2章 碳纳米管与cMos的单片集成
第3章 便捷的、可扩展的外围电化学方法制备二氧化钛忆阻器
第4章 有机半导体中的自旋传输：最初八年的简要概述
第二部分 硅器件和技术
第5章 siGc BicMoS技术与器件
第6章 新型的高性能低功耗器件范例：极限FDSOI多栅MOSFET和多势垒促进栅极共振隧穿FET
第7章 三维芯片集成技术的发展
第8章 嵌入式STT—MRAM
第9章 非易挥发性存储器件：阻变存储器
第10章 DRAM技术
第11章 单晶硅太阳能电池的优化和模型
第12章 硅器件的辐射效应
第三部分 复合半导体器件与技术
第13章 使用直接生长技术的GaN／InGaN双异质结双极晶体管
第14章 氮化镓高电子迁移率晶体管技术与应用
第15章 基于CaN的金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管的表面处理、工艺和性能
第16章 下一代高功率／高温器件——大尺度硅衬底氮化镓基HEMT器件
第17章 应用于手机终端的砷化镓异质结双极型晶体管及功率放大器设计
第18章 Ⅲ族氯化物的负微分电阻和共振隧穿
第19章 三氮化物半导体子能带光电学的新发展
第1章 碳纳米管中的电子运动：从电子动力学到电路模型
1．1 引言
1．2 碳纳米管的电子动力学
1．2．1 概述
1．2．2 碳纳米管的能带结构
1．2．3 碳纳米管的构造
1．2．4 单壁和多壁碳纳米管中有效的沟道数量
1．3 电磁学中的应用：碳纳米管作为一种新型的散射材料
1．3．1 概述
1．3．2 碳纳米管散射的电磁学模型
1．4 电路中的应用：碳纳米管作为一种新型的互连材料
1．4．1 纳米级互连中的碳纳米管
1．4．2 碳纳米管互连的TL模型
1．4．3 束状碳纳米管作为新型的芯片封装的互连材料
1．5 结论
参考文献
第2章 碳纳米管与cMos的单片集成
第3章 便捷的、可扩展的外围电化学方法制备二氧化钛忆阻器
第4章 有机半导体中的自旋传输：最初八年的简要概述
第二部分 硅器件和技术
第5章 siGc BicMoS技术与器件
第6章 新型的高性能低功耗器件范例：极限FDSOI多栅MOSFET和多势垒促进栅极共振隧穿FET
第7章 三维芯片集成技术的发展
第8章 嵌入式STT—MRAM
第9章 非易挥发性存储器件：阻变存储器
第10章 DRAM技术
第11章 单晶硅太阳能电池的优化和模型
第12章 硅器件的辐射效应
第三部分 复合半导体器件与技术
第13章 使用直接生长技术的GaN／InGaN双异质结双极晶体管
第14章 氮化镓高电子迁移率晶体管技术与应用
第15章 基于CaN的金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管的表面处理、工艺和性能
第16章 下一代高功率／高温器件——大尺度硅衬底氮化镓基HEMT器件
第17章 应用于手机终端的砷化镓异质结双极型晶体管及功率放大器设计
第18章 Ⅲ族氯化物的负微分电阻和共振隧穿
第19章 三氮化物半导体子能带光电学的新发展
